【摘要】一种螺旋出铅的活动铅笔, 该铅笔笔杆内有一条 开槽, 笔杆里有螺旋钢丝, 螺旋钢丝里有铅芯套筒, 铅芯插在铅芯 套筒里, 铅芯套筒内有铅芯顶。转动螺旋钢丝, 可推动铅芯套筒 及铅芯前、后移动。【专利类型】实用新型【申请人】周志昌【申
【摘要】 本发明提供了一种包含底栅极TFT(12)的电子器件的制造方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成一个掺杂的非晶体硅栅极层(26′)，此栅极层限定栅极(26)，在栅极上形成一个栅极绝缘层(32)，在栅极绝缘层上形成一个非晶体硅活性层(28′)并覆盖至少部分栅极，并将非晶体硅活性层退火以形成多晶硅活性层(28)。可以采用较薄的栅极绝缘层使TFT具有低的阈电压。 【专利类型】发明申请 【申请人】统宝香港控股有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】香港特别行政区 【申请号】CN03809844.X 【申请日】2003-04-25 【申请年份】2003 【公开公告号】CN100438076C 【公开公告日】2008-11-26 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN100438076C 【授权公告日】2008-11-26 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】H01L29/786; H01L21/20; H01L21/336; H01L21/84; H01L29/49; H01L21/28; H01L29/423 【发明人】N·D·扬 【主权项内容】1.一种制造包含底栅极薄膜晶体管(12)的电子器件的方法，它 包括以下步骤： ---在衬底(30)上形成一个掺杂非晶体硅栅极层(26′)，所述栅极 层确定栅极(26)； ---在栅极上形成一个栅极绝缘层(32)； ---在栅极绝缘层上形成一个非晶体硅活性层(28′)并覆盖栅极的 至少一部分；以及 ---将非晶体硅活性层退火以形成多晶硅活性层(28)； 其中，退火使得一部分未被非晶体硅活性层覆盖的栅极层成为多 晶体。 【当前权利人】统宝香港控股有限公司 【当前专利权人地址】中国香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼 【引证次数】6.0 【被引证次数】1.0 【他引次数】6.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】27.0 【家族被引证次数】31.0
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