【摘要】 本发明公开了一种透光窗户层发光二极管, 其于 P型限制层上成长磷化铝铟镓超晶格作为透光窗户层, 以磷化 铝铟镓超晶格增加电流分散, 增加发光区域。且, 透光窗户层大 幅度提高发光二极管亮度, 免去现有技术繁琐的二次成长等制 作过程, 降低生产成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾光宝电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省台北市敦化南路一段25号12楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98100911.5 【申请日】1998-03-13 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1229281A 【公开公告日】1999-09-22 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/14; H01L33/38 【发明人】陈锡铭; 欧思村 【主权项内容】1、一种透光窗户层发光二极管，其特征在于：所述的透光窗户层发光二极 管包括：一导电性半导体基板，该导电性半导体基板背面形成有一第一电极； 一第一导电性磷化铝铟镓限制层，该第一导电性磷化铝铟镓限制层形成于该导 电性半导体基板上；一导电性磷化铝铟镓活化层，该导电性磷化铝铟镓活化层 形成于该第一导电性磷化铝铟镓限制层上；一第二导电性磷化铝铟镓限制层， 该第二导电性磷化铝铟镓限制层形成于该导电性磷化铝铟镓活化层上；一导电 性磷化铝铟镓超晶格，该导电性磷化铝铟镓超晶格形成在该第二导电性磷化铝 铟镓限制层上，该导电性磷化铝铟镓超晶格次导带与次价带上的能量差比该导 电性磷化铝铟镓活化层能量大；一导电性欧姆接触层，该导电性欧姆接触层形 成于该导电性磷化铝铟镓超晶格上；及一第二电极，该第二电极形成于该导电 性欧姆接触层上。 【当前权利人】台湾光宝电子股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省台北市敦化南路一段25号12楼 【被引证次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1.0

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