【摘要】 本发明揭露一种在一动态随机存取存储器中制 作一半导体存储单元的方法。本发明利用一内接填塞(Interplug) 技术及氮化硅侧壁间隙壁, 以改进电容底部电极接触窗过深的 蚀刻而造成的损坏和降低对一般平台垫工艺(Landing pad processes)。因此, 本发明的方法降低传统方法制作具有高纵横 比的存储电极的接触窗的困难度。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98107935.0 【申请日】1998-05-06 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1234609A 【公开公告日】1999-11-10 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1139115C 【授权公告日】2004-02-18 【授权公告年份】2004.0 【IPC分类号】H01L21/8242 【发明人】刘滨; 梁文嘉; 林业森 【主权项内容】1．一种动态随机存取存储单元的制作方法，该方法至少包括以下步骤： 在一基底之上形成隔绝区； 在该基底及该隔绝区之上形成栅极； 在该栅极的侧壁上形成第一间隙壁； 在该基底的表面上形成源极及漏极区； 在该源极及漏极区及该栅极之上形成一第一介电层； 将该第一介电层构图并蚀刻，以露出部分该源极及漏极区，以形成第一 接触窗； 在该第一介电层上及该第一接触窗内形成一第一传导层； 除去位于该第一介电层之上的该第一传导层，以形成内接填塞； 在该第一传导层及该第一介电层之上形成一第二介电层； 将该第二介电层构图并蚀刻，直到一部分的该第一传导层暴露出来，以 形成第二接触窗； 在该第二介电层上及第二接触窗内形成一第二传导层，以形成位线； 在该第二传导层之上形成一第三介电层； 对该第三介电层、该第二传导层、以及该第二介电层构图并蚀刻，直到 一部分的该第一传导层暴露出来，以形成一预第三接触窗； 在该预第三接触窗的侧壁形成第二间隙壁，以形成一第三接触窗； 在该第三介电层之上及该第三接触窗之内形成一第三传导层； 将该第三传导层构图并蚀刻，以形成一电容的一存储电极； 在该存储电极之上形成一电容绝缘层；以及 在该电容绝缘层之上形成一电容的一顶部电极。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 【引证次数】1.0 【被引证次数】4.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】5.0

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