【摘要】 本发明提供了一种为闪存删除提供高外部电压的电路及方法，本发明中外部高电压被连至包含闪存的芯片中欲删除的单元。但使用外部电压时内部电压激励电路截止。外部电压，一高负电压和一高正电压，经电压控制模块被分别连到欲删除的所选单元的栅极和源极。外部电压在制造中在编程/删除中高效地执行删除功能。在闪存单元被使用者装配于电路板后，内部高电压激励电路用于删除该闪存单元。两个电平切换电路构成电压控制模块的一部分。电压切换电路加电压给闪存单元，并提供单元删除的选择和撤选电压。 【专利类型】发明申请 【申请人】柰米闪芯集成电路(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203上海市浦东郭守敬路498号21307－21309室 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN00136239.9 【申请日】2000-12-25 【申请年份】2000 【公开公告号】CN100388389C 【公开公告日】2008-05-14 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN100388389C 【授权公告日】2008-05-14 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】G11C16/06; G11C16/14 【发明人】李武开; 许富菖; 陈信义 【主权项内容】1.一种在删除操作中提供闪存单元偏置的电路，包含： a)一负电压激励电路，产生高负电压连接至一电压控制模块； b)一正电压激励电路，产生高正电压连接至所述的电压控制模块； c)另一个提供所述高负电压的第一电压源可通过一第一芯片管脚从外部连 接到所述的电压控制模块； d)另一个提供所述高正电压的第二电压源可通过一第二芯片管脚从外部连 接到所述的电压控制模块； e)所述电压控制模块在闪存单元的删除操作中提供栅极、漏极和源极的偏 置；其中，所述电压控制模块包括第一电平切换模块、以及第二电平切换模块； 所述第一电平切换模块，用于在闪存删除中提供栅极偏置，所述第一电平 切换模块由第一选择电路、第一偏置缓冲电路、第一交叉耦合电路以及第一差 分电路组成； 所述第二电平切换电路，用于在闪存删除中提供源极和漏极偏置，所述第 二电平切换电路由第二选择电路、第二偏置缓冲电路、第二交叉耦合电路以及 第二差分电路组成。 【当前权利人】柰米闪芯集成电路有限公司 【当前专利权人地址】美国加利福尼亚州圣荷西市 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0

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