【摘要】 一种在DRAM中制造皇冠形状存储节点结构的 STC结构的方法。先在半导体基底上形成一传输栅晶体管。 接着沉积第一绝缘层，并将之平坦化。在第一绝缘层上形成存 储节点的接触窗口。沉积第一多晶硅层。在第一多晶硅层上沉 积第二绝缘层，将之构图，形成一绝缘块，重叠于接触窗口上。 沉积一第二多晶硅层。然合使用第一和第二次定时选择性各向 异性干蚀刻步骤，以产生多晶硅间隔，形成包围住绝缘块的第 一多晶硅层的底部部分。然后去除绝缘块。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98108712.4 【申请日】1998-05-29 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1237789A 【公开公告日】1999-12-08 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1121066C 【授权公告日】2003-09-10 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/82; H01G4/00; H01L21/8242 【发明人】宋建迈 【主权项内容】1．一种在半导体基底上制造具有皇冠型存储节点结构的堆叠电容器结 构的方法，包括下列步骤： (1)提供一个传输栅晶体管； (2)在前述的传输栅晶体管上沉积第一绝缘层； (3)在前述的第一绝缘层上形成存储节点接触窗口，以露出前述的传输栅 晶体管的源极与漏极； (4)在前述的第一绝缘层沉积第一多晶硅层，并完全填满前述的存储节点 接触窗口； (5)从第二绝缘层，在前述的第一多晶硅层上形成一个绝缘块，并直接重 叠在前述的存储节点接触窗口； (6)从第二多晶硅层，在前述的绝缘块的周边形成多晶硅间隔； (7)去除前述的第一多晶硅层未被前述的绝缘块所覆盖的区域的上半部 分，以在前述的第一绝缘层未被前述的绝缘块所覆盖的区域上留下前述的第 一多晶硅层的薄的底部部分，并且保留前述的绝缘块和所附属的前述的多晶 硅间隔，重叠于未被蚀刻的第一多晶硅形状上； (8)去除前述的绝缘块； (9)从前述的第一绝缘层上去除前述的第一多晶硅层的薄的底部部分，以 导致由前述的第一多晶硅形状向上突出的前述的多晶硅间隔所组成的皇冠 型存储节点结构； (10)在前述的皇冠型存储节点结构上形成一层电容器介电层；以及 (11)在前述的电容器介电层上形成多晶硅上层电极。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0

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