【摘要】本实用新型提供了一种密码锁闭式防盗井盖。该 井盖的盖板上表面圆周边部制有数码刻度、底背面制有裙筒, 裙筒内制有3个洞穴孔, 各穴孔内分别装连定位球, 底座的止口 环上制有一个与定位球配合开盖的槽口, 并在底座顶口沿上制 有定位标,
【摘要】 一种快闪电性可抹除只读存储器，其特色为以热 载子注射执行编码，并且以负栅极电压执行通道抹除。此存储 器的结构特征为具有用以在存储器抹除操作时形成一独立绝 缘井的三井结构，其包括一P井与一N井位于一P基底内， 以及以N井隔离P井与P基底。 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98115226.0 【申请日】1998-06-24 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1239834A 【公开公告日】1999-12-29 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】H01L27/115; H01L27/105 【发明人】林晨曦; 陈志民; 王琳松; 李弘名; 张格荥 【主权项内容】1.一种快闪电性可抹除只读存储器，包括： 一P基底； 一N井，位于所述P基底内； 一P井，位于所述N井内，且所述N井隔离所述P井与所述P基底； 一源/漏极区对，位于所述P井内； 一浮置栅极，位于所述P井上方介于所述源/漏极区对之间；以及 一控制栅极，位于所述浮置栅极上方； 其中，所述快闪电性可抹除只读存储器在抹除操作时，可于所述N井/ 所述P井施加一第一正电压，并配合于所述控制栅极施加一第一负电压，而 所述源极区与所述漏极区为浮接，以此方式使得快闪电性可抹除只读存储器 得以进行通道抹除操作。 【当前权利人】世大积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【引证次数】1.0 【被引证次数】6.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】6.0
未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1780164856.html
