【摘要】 一种堆叠栅极存储单元的结构及其制造方法, 包 括在半导体衬底中注入深扩散阱; 在其中注入第二扩散阱; 在第 二扩散阱中注入一源/漏极扩散区, 形成金属氧化物半导体晶体 管。在源/漏极间的沟道区上的衬底的表面上, 淀积隧穿氧化 层。在沟道区上面的隧穿氧化层上淀积多晶硅栅极。在半导体 衬底的表面上淀积绝缘层。在金属氧化物半导体晶体管上形成 堆叠电容器。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98109316.7 【申请日】1998-05-27 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1236996A 【公开公告日】1999-12-01 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1153296C 【授权公告日】2004-06-09 【授权公告年份】2004.0 【IPC分类号】H01L27/105; H01L27/108; H01L27/115; H01L21/82 【发明人】季明华 【主权项内容】1．一种堆叠栅极存储单元的结构，包括： 第一导电型的一深扩散阱，注入在一半导体衬底中，且该深扩散阱与一 深扩散电压产生器相连接； 第二导电型的一第二扩散阱，注入在该深扩散阱内； 一MOS晶体管，包括： 一漏极区，以该第一导电型的材料注入在该第二扩散阱中，且该漏极区 与一位线电压产生器相连接； 一源极区，以该第二导电型的材料注入在该第二扩散阱中，该源极区在 距该漏极区一沟道长的距离处，而局限于该第二扩散阱，并且与一源极控制 电压产生器耦合； 一隧穿氧化层，配置在一沟道区内的该半导体衬底的一上表面上，该沟 道长是指在该漏极区与该源极区之间的该沟道区的长度；以及 第一多晶硅材料的一栅极，配置在该沟道区上面的该隧穿氧化层上； 一绝缘层，配置在该半导体衬底的该表面上且具有多个开口，该些开口 与第二扩散阱、该源极区、该漏极区和该栅极相连接；以及 一堆叠电容器包括： 第二多晶硅材料的一第一极板，淀积在该绝缘层上，该第一极板是由一 短路插塞，穿过该绝缘层中的该些开口中的一个开口而与该栅极相连接，而 该栅极和该第一极板将形成该MOS晶体管的一浮栅； 一电容介电层，配置在该第一极板上；以及 第三多晶硅材料的一第二极板，配置在该电容介电层上，该第二极板 与一字线电压产生器耦合，而该第二极板将形成该MOS晶体管的一控制栅。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【引证次数】2.0 【被引证次数】12.0 【他引次数】2.0 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】12.0

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