【摘要】 一种半导体只读存储器的高密度行解码装置, 主 要是将一只读存储器的行解码装置直接切齐连接于只读存储 器单元阵列, 可将所欲读取数据的存储器单元阵列解码至电源 地及次元线, 使读出放大器能够读出存储器单元阵列所储存的 数据, 本发明的高密度行解码装置, 主机包括有一行解码线路、 一缓冲线路及一行选择线路, 通过将所述之线路集中一起布局, 达到高密度、高速度及高效率之目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】盛群半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹市科学工业园区研新二路三号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98100208.0 【申请日】1998-01-07 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1222764A 【公开公告日】1999-07-14 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1129188C 【授权公告日】2003-11-26 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L27/00; H03M1/00 【发明人】彭咏钿 【主权项内容】1．一种半导体只读存储器的高密度行解码装置，主要包括有： 一行前置解码线路，作为行信号预先解码之动作； 一高密度行解码装置，连接于该行前置解码线路，用以执行存储器 行信号之解码动作； 一存储器单元阵列，连接于该高密度行解码装置，用以储存所需之 数据； 一列解码线路，连接于该存储器单元矩阵，用以将存储器的列信号 加以解码； 上述的行前置解码线路与该高密度行解码装置切齐布局；该高密度 行解码装置与该存储器单元阵列切齐布局。 【当前权利人】盛群半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹市科学工业园区研新二路三号 【被引证次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1.0

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