【摘要】 一种电容的下电极的制造方法包括：形成第一介 电层、氮化硅层与氧化层以覆盖基底。形成第一导体层。形成 第一半球型硅晶粒层与第二介电层。对第二介电层、第一半球 型硅晶粒层与第一导体层构图。形成第二导体层与第二半球型 硅晶粒层。去除第二半球型硅晶粒层与第二导体层，以及去除 第二介电层，直至暴露出第一半球型硅晶粒层。本发明的方法 可避免回蚀工艺损害第一半球型硅晶粒层，并且可完全消除下 电极之间的微细连接现象。 【专利类型】发明申请 【申请人】联诚积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98105348.3 【申请日】1998-02-27 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1227410A 【公开公告日】1999-09-01 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】H01L21/82; H01L21/28; H01L21/02; H01L21/70 【发明人】施俊吉; 黄修文; 洪允锭; 陈立哲 【主权项内容】 1．一种电容的下电极的制造方法，包括下列步骤： 提供一半导体基底； 形成一第一介电层，以覆盖该半导体基底； 形成一氮化硅层，以覆盖该第一介电层； 形成一氧化层，以覆盖该氮化硅层； 对该氧化层、该氮化硅层与该第一介电层构图，藉以形成一接触窗口， 暴露出该半导体基底的一特定区域； 形成一第一导体层，以覆盖该氧化层，并且填入该接触窗口中，接触该 半导体基底的该特定区域； 形成一第一半球型硅晶粒层，以覆盖该第一导体层； 形成一第二介电层，以覆盖该第一半球型硅晶粒层； 对该第二介电层、该第一半球型硅晶粒层与该第一导体层构图，直至大 致暴露出该氧化层； 形成一第二导体层，以覆盖该第二介电层、该第一导体层与该氧化层的 表面； 形成一第二半球型硅晶粒层，以覆盖该第二导体层的表面； 去除覆盖该氧化层与该第二介电层的表面的该第二导体层与该第二半 球型硅晶粒层，直至大致暴露出该氧化层与该第二介电层，并且保留该第二 介电层与该第一导体层的侧壁上的该第二导体层与该第二半球型硅晶粒层； 以及 去除该第二介电层与该氧化层。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市

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