【摘要】一种由设置有保温层的炉体、位于炉膛中的传送 带、设置于炉膛中的散热器等组成的真空气相加热隧道式食品 烘烤炉, 其特征是每个散热器均相对于传送带呈1000∶2—5的 斜度, 且并联于设置于炉体下侧的导热炉上的出气口和回油口 上, 在每
【摘要】 一种利用预处理去除内连线上的有机金属的方法, 反应 气体为NH3以及N2O, 制造过程的气压 约为2.5torrs, 等离子体 的功率约为100watts, 极板间距约为450mils, 气体NH3以及N2O的 流量分别为100sccm以及1600sccm, 接着在内连线上形成一薄 的氧化层, 氮化硅层以化学气相淀积法形成于氧化层上以做为 保护层。利用本制造过程的制造过程参数将有效地消除保护层 中的针孔(pin holes)。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98106228.8 【申请日】1998-04-07 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1231510A 【公开公告日】1999-10-13 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1125484C 【授权公告日】2003-10-22 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/31; H01L21/3105; C23C16/42; H01L21/314; H01L21/316; H01L21/318; H01L23/522 【发明人】张良冬; 郑香平 【主权项内容】1．一种在半导体晶片上形成保护层的方法，该晶片具有一形成于其上做 为绝缘层的介电层，该方法至少包含： 在所述介电层上形成一导电层； 在导电层上形成一光刻胶，以定义内连线的图案； 以所述光刻胶做为蚀刻的掩膜，以蚀刻所述导电层，以形成内连线； 以等离子体施以预处理制造过程，去除所述内连线表面上的有机金属， 反应气体为NH3以及N2O； 在所述内连线以及所述介电层上形成一氧化层，以做为缓冲层；及 在所述氧化层上形成氮化硅层。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】4.0 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】8.0
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