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阻挡层及其制造方法专利

时间:2026-05-28    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 一种阻挡层,包括:一半导体基底,所述半导体 基底上已设有一传导层;一介电层,形成于所述传导层与所述 半导体基底上,且在所述介电层中有一开口,所述开口露出 所述传导层;一第一阻挡层,形成于所述开口中以及周缘,所 述第一阻挡层中含有硅;以及一第二阻挡层,形成于所述第一 阻挡层上。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98105263.0 【申请日】1998-02-26 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1227402A 【公开公告日】1999-09-01 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】H01L21/02 【发明人】游萃蓉; 卢火铁; 孙世伟; 黄益民 【主权项内容】1.一种阻挡层,包括: 一半导体基底,所述半导体基底上已设有一传导层; 一介电层,形成于所述传导层与所述半导体基底上,且在所述介电层中 有一开口,所述开口露出所述传导层; 一第一阻挡层,形成于所述开口中以及周缘,所述第一阻挡层中含有 硅;以及 一第二阻挡层,形成于所述第一阻挡层上。 : 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】8.0 【被他引次数】8.0 【家族被引证次数】8.0

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    发布时间:2026-05-28
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