【摘要】 一种制作双金属氧化物半导体晶体管的方法，包 括下列步骤：进行一第一离子注入，以在基底中、第一多晶硅 栅极与第二多晶硅栅极之外形成多个轻掺杂区；形成一光致抗 蚀剂层，暴露出预定的高电压晶体管；进行一第二离子注入， 以形成多个缓冲层与高电压晶体管的轻掺杂区重叠，该第二离 子注入是采用大角度倾斜技术；去除光致抗蚀剂层；在形成第 一间隙壁和第二间隙壁；以及进行第三离子注入，以形成多个 重掺杂的源极与漏极区域。 【专利类型】发明申请 【申请人】联诚积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98105351.3 【申请日】1998-02-27 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1227407A 【公开公告日】1999-09-01 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1123917C 【授权公告日】2003-10-08 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/02; H01L21/266 【发明人】林志光; 柯宗义; 洪允锭; 张崇德 【主权项内容】1．一种制作双金属氧化物半导体晶体管的方法，其中，一预定高电压金 属氧化物半导体晶体管的一第一多晶硅栅极与一预定低电压金属氧化物半导 体晶体管的一第二多晶硅栅极已形成于一基底的一有源区上，该方法包括下 列步骤： 进行一第一离子注入，以在该基底中、该第一多晶硅栅极与该第二多晶 硅栅极之外形成多个轻掺杂区； 形成一光致抗蚀剂层，暴露出该预定的高电压金属氧化物半导体晶体 管； 进行一第二离子注入，以形成多个缓冲层与该高电压金属氧化物半导体 晶体管的这些轻掺杂区重叠，其中该第二离子注入是采用一大角度倾斜技 术； 去除该光致抗蚀剂层； 在该第一多晶硅栅极的侧壁形成一第一间隙壁与在该第二多晶硅栅极 的侧壁形成一第二间隙壁；以及 进行一第三离子注入，以在该第一间隙壁与该第二间隙壁之外的该基底 中形成多个重掺杂的源极与漏极区域。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】16.0 【被他引次数】16.0 【家族被引证次数】17.0

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