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改善高崩溃电压的半导体功率整流器电压突降的方法专利

时间:2026-05-28    作者:admin 点击: ( 1 ) 次

【摘要】 本发明提供一种改善高崩溃电压的半导体功率 整流器电压突降的方法,藉由在半导体基材及磊晶层之间设立 隔绝层,即可使半导体基材上的晶格微缺陷不致影响到磊晶 层,因此可以避免逆向电压突降现象,进而使此半导体功率整 流器即使在450伏以上的高崩溃电压下也可工作。 【专利类型】发明申请 【申请人】旭兴科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省基隆市安乐区武训街28-1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98101491.7 【申请日】1998-06-03 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1237798A 【公开公告日】1999-12-08 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】H01L29/861; H01L29/66 【发明人】张彦晖; 江国伟 【主权项内容】1、一种改善高崩溃电压的半导体功率整流器电压突降的方法,其特征在于: 包括有下列步骤:在一具有高浓度第一导电型的半导体基材上以磊晶方式形成 一低浓度具有第二导电型的半导体磊晶层;在所述第二导电型半导体磊晶层, 以热扩散方式形成一高浓度第三导电型的半导体杂质层;在所述第三导电型的 半导体杂质层下形成有一空乏区;以及在所述第一导电型基材及第二导电型磊 晶层之间形成一个或以上高浓度的隔绝层。 【当前权利人】旭兴科技股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省基隆市安乐区武训街28-1号

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