【摘要】 本发明涉及一种反应离子束刻蚀金刚石薄膜图 形工艺。金刚石薄膜由热丝法生长在硅片上, 刻蚀图形在具有卡 夫曼型离子源的离子束刻蚀机上, 采用纯氧反应离子束, 以铝膜 为掩模进行。铝掩模可由光刻、腐蚀或氩离子束刻蚀形成。氧 分压下, 金刚石和铝的刻蚀速率差别很大, 金刚石对铝的刻蚀选 择比可达到40。刻蚀后残留的铝由腐蚀去除, 是一种工艺简单, 重复性好, 刻蚀线条清晰、陡直, 可与微电子工艺兼容的金刚石图形化技术。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海冶金研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050上海市长宁区长宁路865号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN98122855.0 【申请日】1998-12-17 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1224077A 【公开公告日】1999-07-28 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1075841C 【授权公告日】2001-12-05 【授权公告年份】2001.0 【IPC分类号】C23F1/02; C23C16/50; C23C16/511; H01L21/02; H01L21/3065 【发明人】任琮欣; 江炳尧; 王效东; 杨艺榕 【主权项内容】1．本发明反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺，包括金刚石薄 膜、卡夫曼(Kaufman)型离子源离子束刻蚀机，铝掩模工艺，其特 征在于以铝膜为掩模的金刚石薄膜图形化刻蚀工艺如下： a．在金刚石薄膜表面沉积铝膜，厚度为金刚石膜厚的1/20～ 1/10； b．光刻铝膜，化学腐蚀或氩离子束刻蚀铝膜形成与光刻胶图形 相一致的铝掩模； c．将铝掩模上保留光刻胶的样品置于具有卡夫曼型离子源离子 刻蚀机中，刻蚀时，离子源充入99.99％纯氧，工作室氧气压6.6×10-3～ 5.4×10-2帕，氧离子束能量300～800电子伏，束流密度0.2～1.0毫安/ 厘米2，垂直入射金刚石的刻蚀速率150～400埃/分，同时垂直入射铝 掩模的刻蚀速率为8～16埃/分，金刚石对铝的刻蚀选择比为16～40； d．用化学腐蚀去除金刚石薄膜上剩余的铝掩模。 【当前权利人】中国科学院上海冶金研究所 【当前专利权人地址】上海市长宁区长宁路865号 【被引证次数】10.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】10.0

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