【摘要】 一种制备高导热氮化铝(AlN)陶瓷的方法。属于 氮化物陶瓷领域。利用工业级CaC2与水极易反应的特性, 在整个工艺过程中控制氧含量。作为添加物可以是单一CaC2, 也可以是CaC2、CaCO3、Y2O3及其他稀土氧化物的混合物, 加入量为2～8wt%。可使用碳热还原法制备的AlN粉, 亦可使用高温自蔓延合成法制备的粉料, 进行热压、无压或低温烧结后高温热处理。制备的AlN陶瓷的热导率最高可达230W·m－1·K－1, 抗弯强度大于450MPa, 介电常数7.3, 介质损耗1×10－4(频率9.35GHz), 试样密度大于99%理论密度, 体积电阻率为1×1013Ω·cm。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海硅酸盐研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050上海市定西路1295号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN98110939.X 【申请日】1998-07-08 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1203899A 【公开公告日】1999-01-06 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1081178C 【授权公告日】2002-03-20 【授权公告年份】2002.0 【IPC分类号】C04B35/581 【发明人】王岱峰; 周艳平; 庄汉锐; 温树林; 郭景坤 【主权项内容】1．一种高热导氮化铝陶瓷的制备方法，包括氮化铝起始粉料选择， 添加物的种类和纯度选择，合理的成型和烧结制度。其特征在于： (1)使用的氮化铝粉料是碳热还原法或高温自蔓延合成法制备的 一般原料。前者平均粒径2～3μm，含氧量0．6wt％；后者平 均粒径7～8μm，氧含量0．4wt％； (2)利用工业级炔化钙(CaC2)与水极易反应的特点，在整个工艺 过程中对氧含量进行控制； (3)选用工业级炔化钙、试剂级CaO、Y2O3及其他稀土氧化物 为烧结添加物，使用单一CaC2加入量为2～4wt％，或CaO(以 CaCO3形式加入)和Y2O3混合物(总加入量为3～6wt％)；或 CaC2和Re2O3的混合物(Re为Y、La、Pr、Nd、Sm、 Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu之一)，加入总 量为5～8wt％； (4)合理的烧结制度为： a)热压烧结制度为1800℃，压力为20～40MPa，保温4～8 小时，分两步加压，先在1300～1400℃预加压(一般10～15 MPa)，升温速度为20℃／min； b)无压烧结温度为1700～1900℃，保温4～8小时； c)低温热压烧结或无压烧结后再在流动保护气氛下于 1700～1900℃热处理，保温10～30小时随炉冷却； d)烧结时保护气氛为N2或N2+H2气氛。。 【当前权利人】中国科学院上海硅酸盐研究所 【当前专利权人地址】上海市定西路1295号 【统一社会信用代码】12100000425006547H 【被引证次数】24.0 【被他引次数】24.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】24.0

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