【摘要】 本发明提供了一种无分立象元光学读出的量子 阱红外焦平面芯片的设计。它可以把在芯片上的红外图像直接 转换成可见光图象, 从而把红外探测技术转换到可见光探测技 术, 使对红外目标成像的芯片在空间分辨上达到可见光成像的 水平。还介绍了该芯片的结构。包括量子阱材料具体结构设 计、掺杂条件、芯片的电极设计、偏置电压条件及与可见光探 测系统的相互结合。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海技术物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200083上海市玉田路500号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】虹口区 【申请号】CN98121959.4 【申请日】1998-10-22 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1219788A 【公开公告日】1999-06-16 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1090335C 【授权公告日】2002-09-04 【授权公告年份】2002.0 【IPC分类号】H01S3/00; G02B3/00; H01L29/765; G01J5/08; G02B5/18; G02B26/08; G02F1/017; H01L31/14; H04N5/74 【发明人】陆卫; 陈效双; 刘兴权; 李宁; 李娜; 陈益栋; 刘平; 窦红飞; 付英; W·马格纳斯 【主权项内容】1．一种无分立象元光学读出的量子阱红外焦平面芯片，包括量子阱芯片、聚 焦透镜和SiCCD器件，其特征在于： (a)所说的量子阱芯片(1)是利用外延手段生长出带有n型掺杂和p型掺 杂的量子阱结构材料，其二个量子阱中的载流子均可由红外光激发到连续态并在 外电场作用下导致电子与空穴相互靠拢，最后复合发光；在量子阱芯片(1)上形 成上、下电极，靠近n型量子阱的电极上所加的偏压相对加在靠近p型量子阱电 极的偏压是正的； (b)将高灵敏度的SiCCD器件(3)与透镜(2)及量子阱芯片(1)在组 件上一体化，将量子阱芯片(1)置于低于80K的低温下工作，用SiCCD器件(3) 记录量子阱芯片(1)将红外光图象转换成的可见光图象直接光学读出。 【当前权利人】中国科学院上海技术物理研究所 【当前专利权人地址】上海市玉田路500号 【统一社会信用代码】12100000425005579K 【被引证次数】1.0 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】2.0

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