【摘要】一种连续间壁式立体传热干燥器, 是在支架上装 着动力传动系统和干燥箱, 干燥箱上装着工作链轮和带爬齿的 工作链条, 干燥箱的底部是由其上固装着强化传热杆的底板和 固装着强化传热柱的加热板构成的加热室, 底板上开有加热介 质进、出口,
【摘要】 一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法, 热 处理在分子束外延的真空腔体中或真空的石英安瓿中完成, 热 处理样品所需的CdTe覆盖层通过外延后直接生长的方法制备, 杜绝了外界对样品的任何沾污。用该工艺进行空穴导电型热处 理的成功率达100%, 空穴浓度可在5×1015到5×1016cm－3范围内随意控制。同时, 材料的组分和表面形貌的完整性得到了很好的保持。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海技术物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200083上海市玉田路500号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】虹口区 【申请号】CN98111054.1 【申请日】1998-09-03 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1214378A 【公开公告日】1999-04-21 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1065291C 【授权公告日】2001-05-02 【授权公告年份】2001.0 【IPC分类号】C30B33/02; C30B33/00 【发明人】杨建荣; 王善力; 陈新强; 方维政; 巫艳; 于梅芳; 何力 【主权项内容】1、一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，包括碲镉汞分子束外 延工艺、热处理工艺，其特征在于： a．通过保留碲镉汞分子束外延材料在外延生长室中，直接生长的方法 在碲镉汞表面生长一层杜绝了外界对碲镉汞样品造成沾污的10nm以上厚度 的CdTe覆盖层； b．带有CdTe覆盖层的碲镉汞样品直接在分子束外延的生长室中加热至 一定的温度进行热处理，或者将该碲镉汞样品置于真空封闭的石英安瓿中进 行热处理； c．在200℃到320℃范围内，通过改变热处理温度将碲镉汞外延材料的 77K温度下的空穴载流子浓度调整在5×1015到5×1016cm-3之间。 【当前权利人】中国科学院上海技术物理研究所 【当前专利权人地址】上海市玉田路500号 【统一社会信用代码】12100000425005579K 【被引证次数】9.0 【被自引次数】7.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】9.0
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