【摘要】本发明是一种MOCVD法制备高荧光效率的铟 镓氮单晶薄膜的生长技术, 在高温下生长铟镓氮单晶薄膜, 同时 进行Si和Zn共掺杂, 实现高效蓝光发射。GaN和InGaN可在 相同温度下生长; 避免了在器件结构生长过程中的升降温过程,
【摘要】 本实用新型涉及一种体育锻炼器械,特别涉及一 种杠铃、哑铃杆。其特征是杆体为中空圆管结构。本实用新型 重量轻,生产成本低且可降低运输费用和包装费用。 【专利类型】实用新型 【申请人】张志军 【申请人类型】个人 【申请人地址】300150天津市河北区红星路万科城市花园A座1608 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】河北区 【申请号】CN98206147.1 【申请日】1998-06-25 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2353401Y 【公开公告日】1999-12-15 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2353401Y 【授权公告日】1999-12-15 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】A63B21/072; A63B21/06 【发明人】张志军 【主权项内容】1、一种杠铃、哑铃杆,其特征在于,杆体为中空圆管结构。 【当前权利人】张志军 【当前专利权人地址】天津市河北区红星路万科城市花园A座1608 【被引证次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3.0
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