【摘要】 本发明涉及一种无中频输出电桥微波场效应晶 体管平衡混频器, 由于无中频输出电桥, 电路的面积将大为减小, 因而就可实现单片集成。本发明的平衡混频器在涉频输入端使 用两个涉频输入电桥或移相器使加在场效应晶体管的射频信 号与本振电压均幅值相等, 相位相反, 这样在中频输出端勿需电 桥即可获得同样优良的性能, 在射频端由于频率高, 所用电桥或 移相器的尺寸显著较小, 因而就可以单片集成。 【专利类型】发明申请 【申请人】天津大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】300072天津市南开区卫津路92号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN98115816.1 【申请日】1998-07-10 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1206244A 【公开公告日】1999-01-27 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1110123C 【授权公告日】2003-05-28 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H03B21/00 【发明人】吴咏诗; 张进心; 王安国 【主权项内容】一种由场效应晶体管等构成的无中频输出电桥单面单片集成微波场效应晶体管平衡混频 器，其特征是功分器1和功分器2的两输出端分别与射频输入电桥1与射频输入电桥2的输 入端交叉相连接，射频输入电桥1和射频输入电桥2各有一个输出端经匹配阻抗接地，射频 输入电桥1、2各自的另一输出端分别与场效应晶体管T1与T2的栅极相连接，场效应晶体 管T1、T2的漏极相接后与滤波器的输入端相接，滤波器的输出端得到中频输出信号，场效 应管T1、T2的源极接地；或者移相器1的输出端与场效应晶体管T1、T2的栅极相连接， 场效应晶体管T1、T2的漏极与移相器2的输出端相连接后与滤波器输入端相连接，滤波器 输出端输出中频信号，场效应晶体管T1、T2的源极接地。 微信 【当前权利人】天津大学 【当前专利权人地址】天津市津南区海河教育园区雅观路135号天津大学北洋园校区 【统一社会信用代码】12100000401359321Q 【家族引证次数】2.0

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