【摘要】 高速变深度刻蚀方法及其装置是将确定的参数 量输入给微机, 微机按自编程序控制双束栏片的运动方向、每次 行走的步数、行走一定步数后的停留时间和中断等; 步进电机驱 动器受微机运行程序控制的工作指令为简单的开关量, 由束栏 片移动程序 控制各小台阶暴露离子束的总时间实现多种深度变化特性不 同的刻蚀过程; 本发明优点是高速精确, 成本低。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国航天工业总公司第二研究院二十三所 【申请人类型】企业 【申请人地址】100854北京市142信箱203分箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98101466.6 【申请日】1998-05-13 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1209645A 【公开公告日】1999-03-03 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1064177C 【授权公告日】2001-04-04 【授权公告年份】2001.0 【IPC分类号】H01L21/3065; H01L41/22; H03H9/42; C23F4/00; H01Q11/08; H03H3/08 【发明人】刘金声 【主权项内容】1．一种高速变深度刻蚀方法，其特征在于根据器件的设计要求，将确定的参数量输入给微机(10)，微机(10)按自编程序控制双束栏片(4)的运动方向、每次行走的步数、行走一定步数后的停留时间和中断等；将某一连续变化的深度轮廓用数量足够多的深度小台阶来拟合，束栏片(4)行走每个台阶的移动特性仍保持相同，即束栏片步进距和步频率不变，移动每个台阶的速度相同，于是步进电机驱动器受微机(10)运行程序控制的工作指令为简单的开关量，处于不同深度的台阶接受的刻蚀时间积分与该台深度要求相对应，从而由束栏片(4)移动程序控制各小台阶暴露离子束的总时间的不同实现深度刻蚀过程；实现这一过程的数学模型为 式中：Di或Di-1表示第i或第i-1小台阶的深度； L?表示刻蚀器件图形总长度； ER?表示某种材料的刻蚀速率； A?表示等长度小台阶分割数； △X?表示束栏片移动步进距； fp表示步进电机驱动脉冲频率；在离子能量、离子束流密度、离子束入射角一定和离子束有效束径大于所需刻蚀器件图形长度条件下，通过束栏片1(4a)和束栏片2(4b)的定位及移动的相互配合，可在所刻范围内实现刻蚀深度的线性和非线性变化，其中非线性变化包括刻蚀深度单调连续变化或刻蚀深度可分解为两个或多个单调连续变化。。 【当前权利人】中国航天工业总公司第二研究院二十三所 【当前专利权人地址】北京市142信箱203分箱 【被引证次数】7.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】7.0

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