【摘要】 本实用新型涉及电池的自动保护装置。由中央控 制芯片SB508T、二个FET场效应管、二个电阻及六个电容连 接的电子线路构成。具有过充电保护动作延时Tovd、过放电保 护动作延时Tuvd和短路(过流)保护动作延时Tocd三种保护动 作延时功能。比同类电池的保护动作延时装置功能强, 且构成元 件器少、误动作概率低, 防止锂离子电池在充电状态下的过充 电、在放电状态下的过放电和负载短路, 加装锂离子电池保护装 置的锂离子电池组可直接用作手机电源。 【专利类型】实用新型 【申请人】电子工业部第十八研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】300381天津市296信箱36分箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】北辰区 【申请号】CN98200817.1 【申请日】1998-01-26 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2350879Y 【公开公告日】1999-11-24 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2350879Y 【授权公告日】1999-11-24 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】H01M10/44 【发明人】孙明 【主权项内容】1．一种锂离子电池保护装置，由中央控制芯片N，其型号为 SB508T.、二个FET场效应管、二个电阻和六个电容连接的电子线路构 成，其锂离子电池保护装置的V+、V-端接串联的两节锂离子电池的 +、-极，P2端接两节电池的连接点，P+、P-端为输出端， 其特征是： 中央控制芯片N的1腿(CHG)接至FET场效应管Q1的栅极G； 中央控制芯片N的2、3、5、6、7腿接至FET场效应管Q2的源极S和 V-端； 中央控制芯片N的4腿通过电阻R2接至FET场效应管Q1的漏极 D和Q2的漏极D； 中央控制芯片N的8腿接至P2端； 中央控制芯片N的9、10、11腿短接后接至电容C1、C2、C3的短接点， 电容C1的另一端接至中央控制芯片N的14腿，电容C2的另一端接至中 央控制芯片N的13腿，电容C3的另一端接至中央控制芯片N的12腿； 中央控制芯片N的15腿接至P+和V+端； 中央控制芯片N的16(DSG)腿接至FET场效应管Q2的栅极G； P-端接至FET场效应管Q1的源极S，通过电容C6接至V-端，通 过电阻R1接至中央控制芯片N的1腿； V+、P2端间接电容C4； P2、V-端接电容C5。 【当前权利人】电子工业部第十八研究所 【当前专利权人地址】天津市296信箱36分箱 【被引证次数】4.0 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4.0

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