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固氮斯氏假单胞菌及其菌膜的培养方法专利

时间:2026-05-27    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明涉及一种耐盐碱、抗干热的联合固氮斯氏 假单胞菌株(Pseudomonas stutzeri)A1501, 以及采用特定培养介 质和培养条件诱发该菌株形成致密菌膜以保持高度抗逆性和 高效固氮能力的培养方法。本发明所述的微生物对多种极端条 件如高盐碱、干热等有极强的抗逆能力, 能在氮贫瘠条件下固定 空气中的氮素供其生长繁殖所需, 并能分泌IAA, 刺激植物生长 等, 采用特定培养介质和培养条件诱发该菌株形成致密菌膜以 保持其高度抗逆性和高效固氮能力。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国农业科学院原子能利用研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100094北京市圆明圆西路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98102764.4 【申请日】1998-07-03 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1203945A 【公开公告日】1999-01-06 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1102658C 【授权公告日】2003-03-05 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】C12N1/20; C12R1/38 【发明人】林敏; 平淑珍; 陆伟 【主权项内容】1、一种固氮斯氏假单胞菌株(Pseudomonas?stutzeri),其特征在于保藏号 为:CGMCC?No.0351。 【当前权利人】中国农业科学院原子能利用研究所 【当前专利权人地址】北京市圆明园西路2号 【统一社会信用代码】12100000400883551R 【被引证次数】6.0 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】6.0

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