【摘要】 一种高功率高亮度的半导体P－I－N二极管激 光器的芯片结构, 它包括由在折射率分布各不相同的一有源子 波导和一无源子波导之间夹接一层耦合层组成一组合波导, 组 合波导的无源子波导一侧叠接下层限制层并叠接在一块半导 体基片上, 半导体基片、下层限制层、无源子波导以及耦合层具 有同一型号, 有源子波导是由三层或多层量子叠层与二层或多 层量子阱有源层交替叠接形成, 它们是不掺杂的, 有源子波导的 上面叠接P型的上层限制层和一脊形结构。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市912信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98102333.9 【申请日】1998-06-02 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1204175A 【公开公告日】1999-01-06 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1088933C 【授权公告日】2002-08-07 【授权公告年份】2002.0 【IPC分类号】H01S3/18; H01S5/00; H01S5/32 【发明人】张敬明 【主权项内容】1．一种形成在一块半导体基片上的半导体P-I-N二极管激光器的芯 片结构，其特征在于，它包括由在折射率分布各不相同的一有源子波导和 一无源子波导之间夹接一层耦合层组成一组合波导，用作所述激光器的谐 振腔波导，其中所述有源子波导是由三层或更多层的量子垒层与二层或多 层量子阱有源层交替相间叠接形成，用以进行光信号的放大与振荡并使其 沿着所述组合波导的轴向传播，所述有源子波导为不掺杂的本征区，所述 耦合层的折射率为光信号传播模折射率，所述无源子波导为折射率大于光 信号传播模折射率的导引层，在与所述耦合层相对的所述无源子波导的一 侧邻接折射率低于所述耦合层的下层限制层，用以使光信号的传播在所述 组合波导轴的横向受到适当约束，以减小远场发散角，所述下层限制层叠 接在所述的一块半导体基片上，所述下层限制层、所述无源子波导以及所 述耦合层均为与所述半导体基片相同型号的掺杂区，在与所述耦合层相对 的所述有源子波导的一侧邻接折射率低于所述耦合层的上层限制层，同样 用以使光信号的传播在所述组合波导轴的横向受到约束，在所述上层限制 层上形成一个约束侧向电流和光信号传播并具有台面和沟槽的常规脊形 结构，所述上层限制层以及所述脊形结构均为与所述半导体基片相反型号 的掺杂区。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市912信箱 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】1.0 【被引证次数】3.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】5.0

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