【摘要】 本发明涉及一种适用碱性无显影气相光刻胶及 其刻蚀氮化硅的工艺, 无显影光刻胶由成膜物质、增感剂、有机 碱、溶剂组成, 各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶有机碱∶ 溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。采用上述光刻胶刻 蚀氮化硅的工艺是首先在表面沉积有氮化硅的样品上涂上光 刻胶, 烘干, 掩膜曝光, 然后用稀释氢氟酸对其进行腐蚀, 最后洗 去样品表面的光刻胶, 即得正性光刻图形。 【专利类型】发明申请 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084北京市海淀区清华园 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98117969.X 【申请日】1998-09-11 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1214469A 【公开公告日】1999-04-21 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】G03F7/00 【发明人】段生权; 王培清; 张斌; 王小兵; 陈永麒; 洪啸吟 【主权项内容】1、一种碱性无显影气相光刻胶，其组成(重量百分比)为： 成膜物质：？？？8～9％ 增感剂：？？？？0.5～1.0％ 光敏有机碱：0.5～1.0％ 溶剂：？？？？？？90％ 上述的成膜物质为肉桂酸类树脂或丙烯酸类树脂，增感剂为5-硝基苊、二苯甲酮或 安息香二甲醚，光敏有机碱为2-苄基-2-二甲氨基-1-(对吗啉苯基)丁酮-1、2- 甲基-1-(对甲硫基苯基)-2-吗啉代丙酮、丙烯酸二烷氨基乙酯或乙烯基吡啶中的任 何一种，溶剂为N, N-二甲基甲酰胺或乙酸乙二醇乙醚，将上述物质按比例混合，待聚合 物完全溶解后，即为酸性无显影气相光刻胶。。： 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华园 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【被引证次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2.0

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