【摘要】 本申请涉及保护性陶瓷材料在集成电路中的应 用。使用保护性陶瓷材料作为FPGA、PROM、DRAM和超导 电路的绝缘材料有很多好处。保护性陶瓷材料能致密地覆盖金 属表面并没有缺陷, 因此可以提高成品率。Pilling-Bedworth比 是鉴定绝缘材料有无保护性的很好判据。Pilling-Bedworth比需 大于1, 最好小于2。使用多层保护性陶瓷材料可以更加减少缺 陷密度并改善成品率。 【专利类型】发明申请 【申请人】张国飙 【申请人类型】个人 【申请人地址】610051四川省成都市跳蹬河邮局001信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】成华区 【申请号】CN98119257.2 【申请日】1998-09-16 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1211083A 【公开公告日】1999-03-17 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1087871C 【授权公告日】2002-07-17 【授权公告年份】2002.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L27/02; H01L23/31 【发明人】张国飙 【主权项内容】1．一种集成电路中的似电容元件，包括：一由导体构成并具有一上 表面的第一底电极、一由导体构成的第二顶电极，以及一位于所述第一 底电极和第二顶电极之间的绝缘膜，其特征在于：所述绝缘膜含有至少 一层保护性陶瓷材料，该陶瓷材料是由至少一种金属元素与碳、氮、氧、 磷和硫中的至少一种非金属元素之间的化合物组成的。 【当前权利人】张国飙 【当前专利权人地址】四川省成都市跳蹬河邮局001信箱 【引证次数】4.0 【被引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】5.0

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