【摘要】 本发明涉及巨磁阻材料P－N结结构。在单晶基 底上制备一层N型或P型巨磁阻薄膜, 然后再在上述薄膜上制 备一层P型或N型巨磁阻材料薄膜, 这样就制备成一个巨磁阻 材料P－N结。包括在已经制备好的P－N结材料薄膜上制备 另一层不同类型的巨磁阻材料薄膜就获得了P－N－P或N－P －N型巨磁阻材料三极管结构。交替制备P型与N型巨磁阻材 料薄膜就获得了多层P－N结结构, P－N结或三极管结构或P －N结多层结构都对磁场相当敏感, 其特性曲线是磁场的函 数。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080北京市603信箱谷冬梅转 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98101982.X 【申请日】1998-05-26 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1223475A 【公开公告日】1999-07-21 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1120530C 【授权公告日】2003-09-03 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L43/00; H01L29/82; H01F1/00; H01L29/66 【发明人】戴守愚; 周岳亮; 吕惠宾; 陈正豪; 杨国桢 【主权项内容】1．一种巨磁阻材料P-N结结构，其特征在于：包括在基片上淀积一 层P型或N型巨磁阻材料，再在上述P型或N型巨磁阻材料上淀积一 层N型或P型体巨磁阻材料。由P型和N型巨磁阻材料交替淀积组成。 其中巨磁阻材料P-N结结构的电流-电压关系为半导体Ⅰ-Ⅴ曲线，电阻 为磁场强度的函数。。 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市603信箱谷冬梅转 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【被引证次数】5.0 【被自引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】5.0

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