【摘要】 本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技 术领域, 包括外延生长室及其加热装置, 预处理装片室, 磁传动传 送片机构, 气路系统, 热电偶与光测高温计, 加热电源, 高真空机 组抽气系统, 尾气处理装置以及计算机自动控制系统; 加热装置 由固定在该外延生长室外侧的石墨板电阻加热器、安装在石墨 板加热器外的红外反射板组成。本发明具有加热温度均匀, 可外 延大面积厚度均匀半导体片, 且低成本、高效率, 易于工业实用 化批量生产等特点。 【专利类型】发明申请 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084北京市海淀区清华园 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN98111717.1 【申请日】1998-12-25 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1224085A 【公开公告日】1999-07-28 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1067446C 【授权公告日】2001-06-20 【授权公告年份】2001.0 【IPC分类号】C30B25/02; H01L21/205; C23C16/46; C23C16/54; H01L21/02 【发明人】钱佩信; 林惠旺; 梁聚宝; 刘荣华; 韩勇; 金晓军; 罗广礼; 陈培毅; 陈必贤; 白玉琦 【主权项内容】1．一种超高真空化学气相淀积外延系统，包括外延生长室及其加热装置，予 处理装片室，磁传动传送片机构，气路系统，热电偶与光测高温计，加热 电源，高真空机组抽气系统，尾气处理装置以及计算机自动控制系统；其 特征在于所说的加热装置由固定在该外延生长室外侧的石墨板电阻加热 器、安装在石墨板加热器外的红外反射板组成。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华园 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【被引证次数】37.0 【被自引次数】8.0 【被他引次数】29.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】37.0

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