【摘要】请求保护色彩。【专利类型】外观设计【申请人】长春市腐乳厂【申请人类型】企业【申请人地址】130052吉林省长春市铁北四路4号【申请人地区】中国【申请人城市】长春市【申请人区县】宽城区【申请号】CN98325399.4【申请日】199
【摘要】 一种红外探测器, 属于光探测器领域。本实用新型 通过在材料生长过程中控制材料组分, 生长出不掺杂的P－N结 构, 然后利用常规半导体器件工艺制成p+－p－－n－－n+结构的GaInAsSb材料红外探测器, 据此作出的探测器可以避免由于掺杂对探测器性能的影响。 该数据由<>整理 【专利类型】实用新型 【申请人】中国科学院长春物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】130021吉林省长春市延安大路1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN98212075.3 【申请日】1998-03-31 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2348378Y 【公开公告日】1999-11-10 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2348378Y 【授权公告日】1999-11-10 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】G01N21/00 【发明人】宁永强; 周天明; 张宝林; 蒋红; 金亿鑫 【主权项内容】1、一种红外探测器，采用碲化镓GaSb作为衬底，镓铟砷锑GaInAsSb作为主要 材料，其特征是在p+型富GaSb的衬底(2)上，有一层采用薄膜外延技术严格控制组 分生长的p-型富GaSb的GaInAsSb(3)，(3)的上面是采用相同技术生长的n-型富In/As的GaInAsSb层(4)，(4)的上面是一层富n+型InAs的GaInAsSb层(5)，在(2)层和(5) 层的外面分别是用真空镀膜技术制成欧姆接触的探测光入射的p面电极(1)和n面 电极(6)。。 【当前权利人】中国科学院长春物理研究所 【当前专利权人地址】吉林省长春市延安大路1号 【被引证次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2.0
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