【摘要】后视图与主视图对称，省略后视图。 仰视图与俯视图相同, 省略仰视图。【专利类型】外观设计【申请人】何静波【申请人类型】个人【申请人地址】130051吉林省长春市宽城区汉口大街23-2号104室【申请人地区】中国【申请人城市】长春市【
【摘要】 本发明属单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜的类P －N结及制作方法。单晶硅衬底加温并加负偏压, 六角氮化硼作 源加射频功率, 氩气作工作气体, 在衬底上沉积c－BN薄膜, 二者 间形成类P－N结。再经镀铝渗铝形成欧姆接触电极。本发明 在形成机理、构成结的晶体形态及制作方法上都不同于传统P －N结, 但具有传统P－N结的电学特性, 电容值增大106倍, 由于c－BN能隙大于6.4ev的宽禁带, 使类P－N结具有耐高温、抗辐射、大功率运转等优良性能。。 【专利类型】发明申请 【申请人】吉林大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】130023吉林省长春市解放大路123号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN98116827.2 【申请日】1998-07-24 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1211636A 【公开公告日】1999-03-24 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1063235C 【授权公告日】2001-03-14 【授权公告年份】2001.0 【IPC分类号】C23C16/34 【发明人】赵永年; 何志; 邹广田 【主权项内容】1、一种单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜类P-N结，由单晶硅作衬底层，其 特征在于，在单晶硅上沉积有纳米晶立方氮化硼薄膜，在单晶硅和纳米晶立方氮 化硼薄膜间形成类P-N结。 【当前权利人】吉林大学 【当前专利权人地址】吉林省长春市解放大路123号 【统一社会信用代码】121000004232040648 【被引证次数】4.0 【被自引次数】4.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】4.0
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