【摘要】一种高碱性钙钠双金属复合磺酸盐的制备方法, 是将钙的碱性化合物和钠的碱性化合物在促进剂的作用下, 先 与磺酸进行中和反应, 然后与二氧化碳进行碳酸化反应。本发明 提供的制备方法避免了单独制备高碱性磺酸钠所需的苛刻的 反应条件, 也缩
【摘要】 本发明的低应力c－BN薄膜及其制备装置和制 备方法属物理气相沉积方法制备薄膜材料的领域。采用射频磁 控溅射加磁控弧光放电相结合的装置和工艺, 以h－BN为靶材, 在氮气、氩气气氛辉光放电中沉积c－BN薄膜。薄膜结构是在 基底与立方氮化硼膜之间有一分子晶体氮化硼层。本发明由于 加了磁控弧光放电装置, 使基底没有离子轰击, 电子回旋运动提 高等离子体中的离化度, 而实现了快速沉积附着力好的能够实 用的低应力c－BN薄膜的形成。 【专利类型】发明申请 【申请人】吉林大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】130023吉林省长春市解放大路123号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN98115352.6 【申请日】1998-06-19 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1210900A 【公开公告日】1999-03-17 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】C23C14/14; C23C14/35 【发明人】赵永年; 邹广田; 何志 【主权项内容】1．一种低应力立方氮化硼薄膜，其结构包括有基底(1)，立方氮 化硼膜(3)，其特征在于在基底(1)与立方氮化硼膜(3) 之间有一分子晶体氮化硼中间层(2)。 【当前权利人】吉林大学 【当前专利权人地址】吉林省长春市解放大路123号 【统一社会信用代码】121000004232040648 【被引证次数】8.0 【被他引次数】8.0 【家族被引证次数】8.0
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