【摘要】高效增容装置是能源技术领域中无耗能引型发 动机的配套增容新技术, 它结构简单, 主要基本特点是由8对体 形、大小、材质相同的定子磁铁和定子电磁线圈构成, 定子磁铁 的硅钢片是按垂直方位由一定数量的螺栓紧固在一起, 在每对 定子磁铁的
【摘要】 一种高速功率开关晶体管, 是具有新型横向结构 的栅辅助晶体管GAT。在芯片平面上看, 该结构中的栅区由呈 岛状分布的许多分立的区域构成, 这些分立的岛状栅区在芯片 平面上根据需要和制造工艺水平按一定间距排成阵列。该结构 消除或减小了栅区与发射区之间的重叠, 从而增加了发射区有 效面积, 可以显著地提高GAT单位面积平均电流容量, 降低 GAT管芯的制造成本, 更好地实现GAT的产品化和商品化。 【专利类型】实用新型 【申请人】北京工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100022北京市朝阳区平乐园100号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN98200661.6 【申请日】1998-01-22 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2333092Y 【公开公告日】1999-08-11 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2333092Y 【授权公告日】1999-08-11 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】H01L29/72; H01L29/66 【发明人】亢宝位; 吴郁 【主权项内容】1．一种具有栅辅助晶体管GAT结构的高速功率开关晶体管，包含有发射区 (6)、基区(1)、栅区(2)和集电区(5)，栅区由基区延伸进入集电区中并具有与基区相 同的半导体型号，其特征在于：在芯片平面上看，栅区由呈岛状分布的许多分立的区 域(12)构成，这些分立的岛状栅区在芯片平面上排成阵列。 【当前权利人】北京工业大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区平乐园100号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12110000400687411U
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