【摘要】 本实用新型属于微电子机械系统(MEMS), 涉及 一种用于准分子激光刻蚀的附着式掩膜组件的改进。其目的在 于解决已有技术中光学系统复杂, 加工精度难以保证等问题, 提 供一种结构简单, 成本低且适于批量生产的用于准分子激光刻 蚀的附着式掩膜组件。由于掩膜吸收体是在金属层上电铸形成, 厚度大于已有技术吸收体的厚度, 因而可更好地保护被刻蚀件 的不加工表面。由于不使用投影聚焦对准系统, 通过附着在金属 层上的吸收体可对被刻蚀件直接刻蚀, 减小了空间结构, 降低了 光损失, 提高了成品率及加工精度, 并利用了与半导体工艺相近 的加工方法, 进行批量生产, 提高生产效率。 【专利类型】实用新型 【申请人】中国科学院长春光学精密机械研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】130022吉林省长春市人民大街140号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】二道区 【申请号】CN98246769.9 【申请日】1998-11-18 【申请年份】1998 【公开公告号】CN2349218Y 【公开公告日】1999-11-17 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN2349218Y 【授权公告日】1999-11-17 【授权公告年份】1999.0 【IPC分类号】C23F4/02 【发明人】粱静秋; 姚劲松 【主权项内容】1．一种用于准分子激光刻蚀的附着式掩膜组件，包括有：掩膜吸收 体1、被刻蚀件3、基座4、气隙o，其特征在于：所说的掩膜吸收体1的 下端面与金属层2的上表面接触，金属层2的下表面与被刻蚀件3的上 端面接触，被刻蚀件3的下端面置于基座4的表面上。 【当前权利人】中国科学院长春光学精密机械研究所 【当前专利权人地址】吉林省长春市人民大街140号 【引证次数】1.0 【被引证次数】11.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】11.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】11.0

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