【摘要】一种含有气体导流板的燃料电池, 包括至少两个 基本平行的气体导流板1和1a, 其间依次设置碳纸、催化剂、 电解质、催化剂和碳纸。其中, 所述气体导流板上的气体导流槽 由一段或多段组成, 其各段的总横截面积沿从气体入口向气体 出口的方
【摘要】 一种插塞的制造方法，包括下列步骤：首先提供 基底，此基底上形成有介电层，介电层上形成有开口，开口暴 露出基底上用来导通其它结构的区域。然后形成黏着层覆盖开 口中用来导通其它结构的区域。接着形成插塞物质层于开口 中，并且蚀刻插塞物质层以形成插塞，使插塞的高度约低于介 电层，以及以对介电层比对该插塞物质层具有高选择比的蚀刻 法蚀介电层，使介电层的高度约等于插塞。 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98115222.8 【申请日】1998-06-24 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1239822A 【公开公告日】1999-12-29 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1115724C 【授权公告日】2003-07-23 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/28; H01L21/302; H01L21/02; H01L21/70 【发明人】何青原 【主权项内容】1.一种插塞的制造方法，包括下列步骤： 提供一基底，该基底上形成有一介电层，其中该介电层上形成有一开 口，并且该开口暴露出所述基底上一设置用来电性导通的区域； 形成一黏著层，覆盖所述基底上的设置用来电性导通的区域和所述开口 中介电层的侧壁； 在开口中形成一插塞物质层，插塞物质层填满所述开口； 回蚀插塞物质层，使开口中插塞物质层的高度约低于介电层，借以形成 插塞；以及 蚀刻介电层，使该介电层的高度大约相当于插塞的高度。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1.0
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