【摘要】一种插头的改良结构，由插头主体及上盖组成， 其特点是插头主体呈扁平状，。其后方形成容置槽，二铜片形 成L形，其一端由插头主体下方延伸出形成插置端，另一端 延伸至容置槽内，在末端处各设置一螺孔，并各自螺设一螺件， 容置槽适当处开设一穿
【摘要】 一种插塞的制造方法，包括下列步骤，提供一基 底，形成具有开口的介电层覆盖基底。然后形成黏着层覆盖开 口，接着形成插塞物质覆盖位于开口中与介电层上的黏着层。 然后回蚀插塞物质，并且使插塞物质的高度大约高于介电层上 的黏着层。接着形成金属层覆盖钨层。上光致抗蚀剂，然后同 时对金属层与介电层构图，使得插塞物质形成插塞。本发明的 特征是保留部分插塞物质，使插塞物质的高度大约高于介电层 上的黏着层。 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98115223.6 【申请日】1998-06-24 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1239823A 【公开公告日】1999-12-29 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/28; H01L21/302; H01L21/02; H01L21/70 【发明人】何青原; 侯上勇 【主权项内容】1.一种插塞的制造方法，包括下列步骤： 提供一基底，该基底上形成有一介电层，其中该介电层上形成有一开 口，并且该开口暴露出该基底上一设置用来电性导通的区域； 形成一黏着层覆盖该基底上设置用来电性导通的区域、该介电层的表面 与开口中介电层的侧壁； 形成一插塞物质层覆盖开口中与介电层上的黏着层； 回蚀该插塞物质层，并且使该插塞物质层的高度高于介电层上的黏着 层； 形成一金属层覆盖插塞物质层； 上一光致抗蚀剂，并且暴露出所述金属层的一特定区域；以及 蚀刻暴露出的金属层的所述特定区域与介电层上的插塞物质层直至大 约暴露出介电层的所述表面，藉以使插塞物质层形成插塞。 微信 【当前权利人】世大积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】6.0 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】6.0
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