【摘要】本实用新型为具有安全装置的门锁, 该门锁包括 一门内锁扣, 门内锁扣上设有一可改变门呈开或闭的调旋部, 还 包括有一安全装置, 安全装置含有一卡定体及链锁组件, 链锁组 件设有一链杆和链条, 链杆的一端与链条相连接, 卡定体可扣制
【摘要】 一种在一半导体晶片上形成电导接结构的方法, 包括以下步骤 : 在该半导体晶片上形成一绝缘层; 在该绝缘层上 形成一钛金属层, 作为粘着层; 在该钛金属层上形成一氮化钛层, 作为阻挡层; 进行一快速热回火步骤; 在该氮化钛层之上形成一 钨金属层; 以及进行等离子溅射, 以去除在蚀刻室的晶片上的任 何表面污染。根据本发明的方法, 可以避免氟化物的沉淀物的产 生。 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98118290.9 【申请日】1998-10-06 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1236979A 【公开公告日】1999-12-01 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1121061C 【授权公告日】2003-09-10 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/31; H01L21/3205; H01L21/28; H01L21/768; H01L21/02; H01L21/3213 【发明人】陈昶辉 【主权项内容】数据由整理 1．一种在一半导体晶片上形成电导接结构的方法，包括以下步骤： 在该半导体晶片上形成一绝缘层； 在该绝缘层上形成一钛金属层，作为粘着层； 在该钛金属层上形成一氮化钛层，作为阻挡层； 进行一快速热回火步骤； 在该氮化钛层之上形成一钨金属层；以及 进行等离子溅射，以去除在蚀刻室的晶片上的任何表面污染。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【被引证次数】14.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】29.0
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