【摘要】本实用新型提供了一种钹固定器新结构, 它具有 一可徒手旋转的螺母体旋锁在钹杆端, 螺母体部分缘面径向凸 出形成容室凸块, 其内设一容置空间和螺纹心孔连通, 容室空间 内填放迫紧块并以定位销定位, 容室凸块顶面斜开一螺孔旋锁 紧抵螺栓
【摘要】 一种在导电金属结构上形成平坦内金属介电层 的方法包括 : 在导电金属结构上形成衬氧化层; 低介电材料层; 未 固化低介电材料层; 未固化硅氧烷层; 在未固化硅氧烷层与未固 化低介电材料层上实施CMP, CMP停止于固化低介电材料层的 表面, 因此在导电金属结构的间隔中残留部分未固化低介电材 料层; 将未固化低介电材料层的残留部分固化; 以及在固化低介 电材料层与固化后的残留部分上方形成帽盖氧化层。 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98116059.X 【申请日】1998-07-15 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1236978A 【公开公告日】1999-12-01 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1103492C 【授权公告日】2003-03-19 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/31; H01L21/768; H01L21/3105; H01L21/312 【发明人】罗吉进 【主权项内容】1．一种在导电金属结构上形成平坦内金属介电层的方法，该方法包括下 列步骤： 在该导电金属结构上形成一衬氧化层； 在该衬氧化层上方形成一固化低介电材料层； 在该固化低介电材料层上方形成一未固化低介电材料层； 在该未固化低介电材料层上方形成一未固化硅氧烷层； 在该未固化硅氧烷层与该未固化低介电材料层上实施一化学机械研 磨，该化学机械研磨停止于该固化低介电材料层的表面，因此在该导电金属 结构的间隔中残留部分该未固化低介电材料层； 将该未固化低介电材料层的残留部分固化；以及 在该固化低介电材料层与固化后的残留部分上方形成一帽盖氧化层。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【被引证次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】17.0
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