【摘要】 本发明提供一种防伪标志及其制造方法, 其特征 在于将特定的防伪图案镂空制成模板, 并把它紧贴在记录材料 的表面上, 选用一定能量的特定重离子进行辐照, 将防伪图案转 换成稠密离子潜径迹分布存储在记录材料表层内; 再经化学蚀 刻能将受辐照表层原来的纹理改造成大小、深度、密度以及坑 间距符合特定光学要求的锥形蚀坑过渡层, 该过渡层具有减反 增透的光学效果, 存储在记录材料表层内的防伪图案能自然地 显露出来。记录材料为入射离子在其中能产生可蚀刻潜径迹的 表面平整光洁的绝缘材料。该防伪标志具有防伪力度大, 易于识 别, 不易仿制的特点。并且材质本身的适用性更宽, 制作成本相 对经济。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国原子能科学研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】102413北京市275信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】房山区 【申请号】CN98126388.7 【申请日】1998-12-29 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1224885A 【公开公告日】1999-08-04 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1118043C 【授权公告日】2003-08-13 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】G09F3/00 【发明人】胡选文; 王玉兰 【主权项内容】1、一种防伪标记，其特征在于在记录材料的表层上，设有一过渡层，该 过渡层由深度大于λ/2、密度为5×1010/cm2以上、孔径《λ/2(λ为光 波波长)以及间距在钠米量级的锥形蚀坑构成。 【当前权利人】中国原子能科学研究院 【当前专利权人地址】北京市275信箱 【引证次数】1.0 【被引证次数】3.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】3.0

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