【摘要】 一种锁定装置, 在一反馈反相器中原有的一P沟 道晶体管及一N沟道晶体管之外, 还加入一串联的P沟道晶体 管及一串联的N沟道晶体管, 得到一小的反馈反相器输入电容, 降低反馈反相器对一驱动反相器输出的负载, 同时维持反馈反 相器的低输出强度。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98108025.1 【申请日】1998-04-28 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1233885A 【公开公告日】1999-11-03 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】H03K19/00 【发明人】小路易吉·特恩西洛; 克里斯托弗·依玛特鲁多 【主权项内容】1．一种锁定装置，所述锁定装置有一锁定装置输入信号和一锁定装置输 出信号，所述锁定装置至少包含： 一驱动反相器，所述驱动反相器具有一驱动输入端及一驱动输出端，所 述驱动输出端提供所述锁定装置输出信号，所述锁定装置输入信号连接至所 述驱动输入端；及 一反馈反相器，与所述驱动反相器相连接，所述反馈反相器具有一反馈 输入端及一反馈输出端，所述反馈输入端与所述驱动输出端相连，以所述锁 定装置输出信号为所述反馈反相器输入信号，所述反馈输出端与所述驱动输 入端相连，以将所述反馈反相器输出信号提供给所述驱动输入端，所述反馈 反相器至少包含： 一P沟道晶体管，所述反馈输入端连接至所述P沟道晶体管的栅极； 一N沟道晶体管，所述N沟道晶体管与所述P沟道晶体管串联，所述 反馈输入端连接至所述N沟道晶体管的栅极，所述反馈输出端由所述N沟道 晶体管与所述P沟道晶体管之间接出；及 至少一个串联N沟道晶体管，与所述N沟道晶体管串联，所述串联N 沟道晶体管维持在一开路状态。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区

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